The Sharply Nonlinear Current – Voltage Characteristic of a Structure with a Quantum Well Built in the Depletion Region of a Schottky Barrier
eNUFTIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The Sharply Nonlinear Current – Voltage Characteristic of a Structure with a Quantum Well Built in the Depletion Region of a Schottky Barrier
Резконелинейная вольт-амперная характеристика структура с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки Різконелінійна вольт-амперна характеристика структури з квантовою ямою, вбудованою в збіднений шар бар’єру Шоткі |
|
| Creator |
Король, А. М.
Король, А. Н. Korol, A. Носенко, І. В. Носенко, И. В. Nosenko, I. |
|
| Subject |
квантова яма
квантовая яма quantum well бар’єр Шоткі тунельний струм барьер Шоттки туннельный ток Schottky barrier tunnel current |
|
| Description |
Розлядається гетероструктура, в якій квантова яма в збідненому шарі бар’єру Шоткі. Розраховано і проаналізовано пряму гілку вольт-амперної характеристики даної структури
Рассматривается гетероструктура, в которой квантовая яма образуется в обедненном слое барьера Шоттки. Рассчитана и проанализирована прямая ветвь вольт-амперной характеристики данной структуры The heterostructure in which a quantum well is formed in the depletion region of the Schottky barrer is considered. The forward current – voltage characteristic of this structure is evaluated and analyzed. |
|
| Date |
2012-04-19T14:49:51Z
2012-04-19T14:49:51Z 2012 |
|
| Identifier |
Korol, A. N. The Sharply Nonlinear Current—Voltage Characteristic of a Structure with a Quantum Well Built in the Depletion Region of a Schottky Barrier / A. N. KorolA, I. V. Nosenko // Semiconductors. - 2010. - Vol. 44, No. 4 - P. 478-481.
http://dspace.nuft.edu.ua/jspui/handle/123456789/942 |
|
| Language |
other
|
|