Еталонні джерела оптичного випромінювання на основі явища електричного пробою у P-N-структурах на карбіді кремнію
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Еталонні джерела оптичного випромінювання на основі явища електричного пробою у P-N-структурах на карбіді кремнію
|
|
| Creator |
Генкін, Олексій Михайлович
|
|
| Subject |
карбід кремнію
електричний пробій еталонний випромінювач імпульсний світлодіод пробійна електролюмінесценція мікроплазма карбид кремния электрический пробой эталонный излучатель импульсный светодиод пробойная электролюминесценция микроплазма silicon carbide electrical breakdown reference oscillator impulse light emitting diode breakdown electrical luminescence microplasma |
|
| Contributor |
Гермаш Л. П.
|
|
| Date |
2010-12-07T10:07:02Z
2010-12-07T10:07:02Z 2010 |
|
| Type |
Thesis Doctoral
|
|
| Identifier |
Генкін О. М. Еталонні джерела оптичного випромінювання на основі явища електричного пробою у P-N-структурах на карбіді кремнію : дис. ... канд. техн. наук . : 05.27.01 - твердотільна електроніка / О. М. Генкін. - К., 2010. - 228 л. + CD-ROM
http://library.kpi.ua:8080/handle/123456789/643 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Дисертація захищена авторським правом. Переглянути її можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|