Створення засобів проектування та технологія виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Створення засобів проектування та технологія виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв
|
|
| Subject |
інтегральні мікросхеми
сегнетоелектричні запам'ятовуючі компоненти та пристрої технологія моделювання проектування |
|
| Description |
Об’єкт дослідження: технологія, властивості та характеристики тонких сегнетоелектричних плівок на кремнієвих пластинах з електронними схемами, параметри, структури та технологія сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів та пристроїв. Метою роботи є створення засобів проектування, технологічних процесів і обладнання виготовлення сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів (СЗЕ), сумісних з технологією напівпровідникових КМОН структур, та технології виготовлення ІМС сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв (СЗП) для оперативної та зовнішньої електронної пам’яті ЕОМ і апаратно-програмних засобів захисту інформації з підвищеними експлуатаційними характеристиками та обмеженим доступом запису інформації. Розроблено нову дослідну технологію осадження субмікронних (20 100 нм) тонких сегнетоелектричних плівок (ТСП) для енергонезалежних акусто-сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів. Удосконалено обладнання для осадження і травлення ТСП на кремнієвих підкладках з КМОН структурами, а також конструкцію катодного вузла з кільцевим та дисковим фрагментами мішені, що забезпечує рівномірність товщини та складу ТСП при їх осадженні методом іонноплазмового розпилення в реакторі магнетронного типу з замкнутим дрейфом електронів. Запропоновано ультразвукову обробку ТСП на етапі їх кристалізації, що приводить до зменшення часу перемикання, збільшення заряду перемикання та об’ємного опору запам’ятовуючих елементів. Опрацьовано метод нанесення електродів на ТСП з підшарком електропровідних окислів. Розроблено математичні та комп’ютерні моделі запам’ятовуючих елементів для використання в САПР ІМС. Опрацьовано технологічний маршрут та виготовлено макет експериментального зразка інтегральної мікросхеми так званої «універсальної» пам’яті щільністю 1 Мбіт/см2 та швидкодією зчитування/запису 30–40 нс , що дозволяє виконувати функції як оперативного, так і довготривалого енергонезалежного зберігання інформації електронних систем. Результати є патентно конкурентноспроможними в частині технології та структурної реалізації пристроїв (отримано чотири патенти України). |
|
| Contributor |
Самофалов К.
|
|
| Date |
2011-12-08T13:47:49Z
2011-12-08T13:47:49Z 2010 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
№ держреєстрації 0107U002775
КВНТД I.1 01.05.02 Д/б №2231-п Створення засобів проектування та технологія виготовлення інтегральних мікросхем сегнетоелектричних запам'ятовуючих пристроїв : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. К. Самофалов. - К., 2010. - 208 л. + CD-ROM. - Д/б №2231-п http://ela.kpi.ua/handle/123456789/1239 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|