Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур
|
|
| Subject |
тринітриди
механізми розсіювання часи релаксації сильне електричне поле резонансно-тунельний діод самоузгоджена модель гетеротранзистор з квантовими точками пасивні нанокомпоненти вуглецеві нанотрубки гетеробіполярний транзистор електротепловий аналіз |
|
| Description |
Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання електричних властивостей тринітридних сполук з різними модифікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для телекомунікаційних систем і систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій. |
|
| Contributor |
Тимофєєв В.
|
|
| Date |
2011-12-09T13:44:57Z
2011-12-09T13:44:57Z 2010 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
код КВНТД І.2 12.11.13
№ держреєстрації 0109U000658 Д/б №2244-п Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2010. - 192 л. + CD-ROM. - Д/б №2244-п http://ela.kpi.ua/handle/123456789/1247 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|