Розроблення технології отримання функціональних наноструктур на основі низькотемпературного синтезу кремнієвих кластерних структур та нітридів індію і галію
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Розроблення технології отримання функціональних наноструктур на основі низькотемпературного синтезу кремнієвих кластерних структур та нітридів індію і галію
|
|
| Subject |
нанокристалічний кремній
нітриди індію та галію тонкі плівки низькотемпературний синтез ВЧ-магнетронне розпилення кластери рідкісноземельні елементи |
|
| Description |
Об’єкт дослідження – технологія низькотемпературного синтезу нанокристалічних плівок кремнія (nc-Si), нітридів індію і галію. Мета роботи: дослідження і розробка технології низькотемпературного синтезу та дослідження властивостей тонких нанокристалічних плівок кремнія (nc-Si), нітридів індію і галію та гетероструктурних перетворювачів на їх основі. Для дослідження зазначених фізичних процесів було виготовлено аморфні та наноструктурні плівки на основі сполук кремнію, нітридів індію та галію на мікроелектронному обладнанні (системи вакуумного напилювання УВН-74 II; УВН -75, ВУП- 5, УВН-71, Катод- 1М). Основні властивості плівок було досліджено за допомогою атомного силового мікроскопу (Nano Scope 111a Quadrexed Dimension 3000), Оже-аналізу – LAS-200 фірми "Riber" (Франція), ВІМС, установки для дослідження спектрів люмінесценції, спектрофотометрів СФ-46, ІЧ- спектроскопії, монохроматора ДМР-4, мікроскопів МІМ-4, стендів для дослідження електрофізичних характеристик. Досліджено процеси низькотемпературного синтезу наноструктурних плівок методом магнетронного ВЧ-розпилення, який забезпечує одержання тонких плівок кремнієвих сполук з високими технічними характеристиками, хорошою стабільністю і відсутністю деградації ефекта Стеблера-Вронскі. Метод дозволяє широкомасштабне промислове виробництво мікроелектронних пристроїв на основі нанокристалічних кремнієвих сполук. Проведено аналіз технологічних методів поліпшення електронно-фізичних властивостей плівок нанокристалічних кремнієвих сполук. Отримані результати рекомендовано використовувати при розробці електронних пристроїв мікроелектромеханічних систем та при виробництві фотоприймачі видимого та ультрафіолетового випромінювання, світловипромінювальних приладів, сонячних елементів, тонкоплівкових транзисторів з підвищеною стабільністю. |
|
| Contributor |
Якименко Ю.
|
|
| Date |
2011-12-12T13:03:15Z
2011-12-12T13:03:15Z 2010 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
КВНТД І.2 12.11.13
№ держреєстрації 0109U001866 Д/б №2246-п Розроблення технології отримання функціональних наноструктур на основі низькотемпературного синтезу кремнієвих кластерних структур та нітридів індію і галію : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Ю. Якименко. - К., 2010. - 149 л. + CD-ROM. - Д/б №2246-п http://ela.kpi.ua/handle/123456789/1249 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|