Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення
|
|
| Subject |
напівпровідникові сполуки АIIIВV
часи релаксації механізми розсіювання поле-температурні та поле-швидкісні характеристики високочастотна провідність резонансно-тунельний діод гетероперехід квантова яма квантова точка низбкорозмірні структури |
|
| Description |
Тема роботи: «Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення». Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. У першому розділі наведено огляд наукової літератури та сформульовані основні напрямки розвитку субмікронної та манометрової електроніки. Другий розділ містить результати розрахунків необхідних для моделювання параметрів для найбільш перспективних напівпровідників АIIIВV (GaAs, InP, GaN) у сильному електричному полі, у тому числі високочастотної та динамічної провідності та її граничної частоти. У третьому розділі описуються розроблені математичні моделі і проаналізовано характеристики гетероструктур щодо швидкодії та їх використання у субмікронних та нанометрових компонентах, включаючи низькорозмірні, зокрема, квантові точки. Запропоновано перспективні структури гетеротранзисторів. У четвертому розділі описана створена під час виконання роботи математична модель резонансно-тунельного діоду (РТД), і наведені результати моделювання для тестової структури РТД. Обґрунтований та обчислений вплив конструктивних параметрів двохбар’єрної квантової системи на електричні характеристики резонансно-тунельного діоду, що може бути використано для оптимізації топології РТД та отримання діодів з наперед заданими властивостями. У п’ятому розділі проаналізовано швидкісні властивості субмікронних гетеротранзисторних структур і виявлено властивості двовимірного електронного газу структури з двома квантовими ямами, наведено двовимірні і аналітичні моделі і проведено розрахунки субмікронних гетеробіполярних транзисторів з урахуванням ефекту саморозігріву. |
|
| Publisher |
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
|
|
| Contributor |
Тимофєєв В.
|
|
| Date |
2012-01-12T12:20:36Z
2012-01-12T12:20:36Z 2008 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
КВНТД 1.2 .12.27.01
№ держреєстрації 0107U002392 Інв. № 0208U004983 Д/б №2012-п Дослідження новітніх нанорозмірних напівпровідникових структур та приладів для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2008. - 168 л. + CD-ROM. - Д/б №2012-п http://library.kpi.ua:8080/handle/123456789/1369 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|