Вплив політипізму на електронні властивості карбіду кремнію у високих електричних полях
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив політипізму на електронні властивості карбіду кремнію у високих електричних полях
|
|
| Subject |
карбід кремнію
зонна структура пробійна електролюмінісценція зразкове джерело випромінювання |
|
| Description |
Метою роботи є отримання нових відомостей щодо впливу особливостей мінізонної структури політипів карбіду кремнію, яка обумовлена присутністю у них природної надгратки, на явища, що супроводжують електричний пробій. Методом цифрової фотографії з високим розрізненням досліджена топографія розташування мікроплазм у p-n-структурах на основі політипів карбіду кремнію в залежності від технологічних режимів їх виготовлення. Зроблені припущення щодо причин появи мікроплазм та виявлені методи впливу на мікроплазмову структуру пробою, які дозволяють створити еталонні широкосмугові випромінювачі з оптимальними властивостями. Наведені нові дані щодо впливу особливостей мінізонної структури політипів карбіду кремнію, яка обумовлена присутністю у них природної надгратки, на електролюмінесцентні властивості p-n-структур, працюючих у режимі електричного пробою. Використана нова методика порівняльного аналізу спектральної залежності температурного коефіцієнта квантового виходу випромінювання та спектральної залежності відносної крутості спектрального розподілу квантового виходу випромінювання. Ця методика дозволила вивчити властивості компонент випромінювання, обумовлених різними типами електронних внутрішньозонних та міжзонних переходів. Наведені результати розрахунків за методом емпіричного псевдопотенціалу зонної структури, температурних залежностей актуальних екстремумів енергії у високосиметрічних точках Г, Х, L, К, М, А, Н зон Бріллюена кубічної та гексагональних модифікацій SiC, а також головних міжзонних переходів проміж ними. Детально проаналізовані особливості температурних залежностей енергетичних рівнів, міжзонних та внутрішньозонних переходів. На основі отриманих теоретичних відомостей проведено аналіз результатів експериментальних досліджень впливу температури на квантовий вихід пробійної електролюмінесценції у різних політипах SiC. Досліджено вплив політипізму на характеристики виявленої уперше періодичної структури у спектрах випромінювання окремих мікроплазм. Досліджені властивості випромінювання окремих мікроплазм у p-n-переходах із мікроплазмовим пробоєм, які виготовлені на кристалах SiC модифікацій 3С та 6Н. У випромінюванні цих мікроплазм найбільш явно виявився новий ефект - періодична структура, яка має характер осциляцій з періодом 0,05-0,5 еВ, що поширюються на увесь досліджений спектральний діапазон 1,8-4,7 еВ. Їхня амплітуда складала 0,05-0,25 інтенсивності фонового випромінювання. Наведені результати досліджень пробійної електролюмінесценції в ультрафіолетовій області спектра (240-350 нм), які використані для створення еталонних випромінювачів для цієї області. |
|
| Contributor |
Гермаш Л.
|
|
| Date |
2012-01-24T16:57:24Z
2012-01-24T16:57:24Z 2008 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
Код КВНТД І.1 01.04.10
№ держреєстрації 0106U002370 Д/б №2953-ф Вплив політипізму на електронні властивості карбіду кремнію у високих електричних полях : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Л. Гермаш. - К., 2008. - 129 л. + СD-ROM. - Д/б №2953-ф http://library.kpi.ua:8080/handle/123456789/1457 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|