Теплові процеси при вирощуванні неактивованих сцинтиляційних кристалів
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Теплові процеси при вирощуванні неактивованих сцинтиляційних кристалів
|
|
| Subject |
математичне моделювання
граничні умови частково прозорий матеріал кристалізація радіаційно-конвективний теплообмін метод скінчених об'ємів метод дискретних ординат показник заломлення коефіцієнт поглинання домішки |
|
| Description |
Звіт про НДР: 147 сторінок, 49 рисунків, 11 таблиць, 225 джерел. Об’єкт дослідження – направлена кристалізація з розплаву частково прозорих матеріалів. Предмет дослідження – математичні моделі радіаційно-кондуктивного та радіаційно-конвективного теплообміну Мета роботи полягає у дослідженні радіаційно-кондуктивного та радіаційно-конвективного теплообміну у високотемпературних кристалізаційних установках для удосконалення теплових умов вирощування. Метод дослідження – числове моделювання. Розвинуто моделі радіаційно-конвективного теплообміну в кристалізаційних установках з урахуванням селективності оптичних властивостей матеріалів, режимів конвективної течії, алгоритм динамічної перебудови міжфазної границі. Вперше отримано результати впливу радіаційно-конвективного теплообміну на процес кристалізації. Розроблені математичні моделі та методики чисельного розв’язку задач радіаційно-конвективного теплообміну з урахуванням впливу домішок у розплаві на коефіцієнт поглинання та селективності оптичних властивостей напівпрозорих кристалу та розплаву. Дослідженнями з використанням обчислювального експерименту температурних полів, градієнтів температури, конвективних та радіаційних потоків при зміні конфігурації системи кристал-розплав показано домінуючий вплив радіаційного теплопереносу. Проведено ряд числових експериментів за умов, характерних для вирощування лужно-галоїдних кристалів (зокрема, йодиду цезію) методом Кіропулоса, з метою оптимізації умов вирощування кристалів за цим методом та їх співставлення з експериментальними даними, отриманими в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАНУ. Результати дослідження факторів впливу на управління тепловими процесами росту дозволяють аналізувати технологічні процеси та надавати рекомендації по конфігурації нагрівальних потужностей у кристалізаційній установці при отриманні сцинтиляційних матеріалів. Модифіковано методики оптичних вимірювань для поглинаючого середовища та визначення переохолодження на фронті кристалізації. Результати НДР планується впровадити в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАНУ, Інституті монокристалів НАНУ. Прогнозні припущення щодо розвитку об’єкта дослідження – подальші дослідження впливу умов складного теплообміну на розподіл температури в кристалізаторахх при вирощуванні особливо чистих сцинтиляційних матеріалів, розробка та адаптація програмного забезпечення для розрахунків теплообміну при вирощуванні частково прозорих матеріалів. |
|
| Publisher |
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
|
|
| Contributor |
Дешко В.
|
|
| Date |
2013-05-16T09:37:00Z
2013-05-16T09:37:00Z 2012 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
№ держреєстрації 0110U000257
КВНТД І.2 13.14.06 Д/б №2313-ф Теплові процеси при вирощуванні неактивованих сцинтиляційних кристалів : звіт про НДР(заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Дашко. - К., 2012. - 147 л. + CD-ROM. - Д/б №2313-ф http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2685 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|