Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів
|
|
| Subject |
тринітриди
часи релаксації імпульсні властивості резонансно-тунельний діод самоузгоджена модель гетеротранзистор із квантовими точками теплова модель тепловий опір |
|
| Description |
Звіт про НДР "Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів" : 269 с., 107 рис., 7 табл., 150 джерел. Метою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-типологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розробки і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання елктричних властивостей тринітридних сполук з різними модефікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для теленкомукаційних систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій. |
|
| Contributor |
Тимофєєв, В. І.
|
|
| Date |
2013-05-20T09:52:57Z
2013-05-20T09:52:57Z 2012 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Identifier |
№ держреєстрації 0111U000774
код КВНТД І.2 12.11.13 Д/б №2428-п Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ"; кер. роб. В. І. Тимофєєв. - К., 2012. - 269 л. + CD-ROM. - Д/б №2428-п http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2696 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|