Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1)
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1)
Параметри росту та якість плівки зародкового шару ZnO (частина 1) Параметры роста и качество пленки зародышевого слоя ZnO (часть 1) |
|
Creator |
Bogdan, A.
Orlov, A. Ulianova, V. Богдан, О. В. Орлов, А. Т. Ульянова, В. О. Богдан, А. В. Орлов, А. Т. Ульянова, В. А. |
|
Subject |
ZnO seed-layer
sol-gel zinc nitrate zinc acetate annealing temperature зародковий шар ZnO золь-гель гексагідрат нітрату цинку ацетат цинку температура відпалу зародышевый слой ZnO гексагидрат нитрата цинка ацетат цинка температура отжига 539.21 |
|
Publisher |
Киев
НТУУ "КПИ" |
|
Date |
2013-06-11T14:06:27Z
2013-06-11T14:06:27Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Format |
Pp. 7-13
|
|
Identifier |
Bogdan A. Growing parameters and quality of ZnO seed-layer film (Part 1) / A. Bogdan, A. Orlov, V. Ulianova // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2012. – № 6(71). – С. 7–13. – Библиогр.: 15 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/2758 |
|
Source |
Электроника и связь : научно-технический журнал
|
|
Language |
en
|
|