Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем
|
|
Creator |
Борисов, А. В.
Гусев, В. А. Мурзин, Д. Г. |
|
Subject |
радиационно-термическая обработка
мощный биполярный транзистор время выключения 621.382.3 |
|
Date |
2013-07-16T08:32:07Z
2013-07-16T08:32:07Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Format |
С. 5 -9.
|
|
Identifier |
Борисов, А. В. Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем / А. В. Борисов, В. А. Гусев, Д. Г. Мурзин, // Электроника и связь: научно - технический журнал. - 2012. - № 5. - С. 5 - 9. - Библиогр. : 3 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/3216 |
|
Source |
Электроника и связь: научно - технический журнал
|
|
Language |
ru
|
|