Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов
Наноелектронні пристрої з пам'яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів Nanoelectronic devices with memory-effect of electromigration of oxygen vacancies in complex oxides of transition metals |
|
| Creator |
Белоголовский, М. А.
Ларкин, С. Ю. Білоголовський, М. А. Ларкін, С. Ю. Belogolovskii, M. A. Larkin, S. Y. |
|
| Subject |
нанотехнологии
мемристор резистивные переключения сложные оксиды кислородные вакансии нанотехнології мемристор резистивні перемикання складні оксиди кисневі вакансії nanotechnology memristor resistive switching complex oxides oxygen vacancies 621.382: 539.292 |
|
| Publisher |
Киев
НТУУ "КПИ" |
|
| Date |
2013-09-09T09:58:59Z
2013-09-09T09:58:59Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 9-15
|
|
| Identifier |
Белоголовский М. А. Наноэлектронные устройства с памятью на основе эффекта электромиграции кислородных вакансий в сложных оксидах переходных металлов / М. А. Белоголовский, С. Ю. Ларкин // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2013. – № 2(73). – С. 9–15. – Библиогр.: 11 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/3629 |
|
| Source |
Электроника и связь: научно-технический журнал
|
|
| Language |
ru
|
|