Розроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високофективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачів
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Розроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високофективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачів
|
|
| Subject |
тонкі плівки
пористий кремній нанопористий кремній структура діелектрик магнетронне реактивне розпилення 621.383.7 |
|
| Description |
Звіт про НДР "Розроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високоефективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачів": 129 с., 83 рис., 13 табл., 76 джерел. Об’єкт дослідження – тонкоплівкові мультикомпонентні матеріали на основі пористого і нанопористого кремнію. Мета роботи: розробка технології низькотемпературного синтезу та дослідження властивостей орієнтованих плівок нанопористого та нанокристалічного кремнію для створення високоефективних фотоелектричних перетворювачів. Розроблено базові принципи і кількісні критерії конструктивно-технологічних параметрів (величин вбудованого позитивного заряду в діелектрику, щільності поверхневих станів на границі діелектрик – напівпровідник, глибини електронно-діркового переходу, рівня легування областей бази і еміттера) у фотоелектричних перетворювачах комбінованого типу з інверсійним каналом. Досягнуто високих значень коефіцієнту корисної дії (22-24,5%) при величині вбудованого позитивного заряду більш, ніж 2,5·10-2 Кл/м2, густини поверхневих станів на границі діелектрик – напівпровідник менше, ніж 1015 еВ-1м-2 та глибині n+-області 3 мкм. Встановлені залежності електрофізичних, оптичних, фотоелектричних, люмінесцентних, термоелектричних властивостей пористого, нанопористого кремнію і гетероструктур на їхній основі від розмірів нанокристалів і пористості матеріалу. При розмірах нанокристалів 15–18 нм досягнута максимальна інтенсивність фотолюмінесценції і фоточутливості гетеропереходів. Встановлено основні закономірності формування шарів пористого кремнію, отриманого методом анодування, і нанопористого кремнію, отриманого хімічним способом. Визначено, що стабільний вміст водню в приповерхній області до 3 мкм забезпечує пасивацію і зниження швидкості поверхневої рекомбінації. Встановлено, що шар пористого кремнію на текстурованій поверхні починає формуватися тільки між пірамідами уздовж їхніх основ; при збільшенні часу формування площа покриття пористого кремнію збільшується завдяки підбуренню пірамід. Розроблено і реалізовано технологію формування пористого кремнію на текстурованій поверхні та керування антивідбиваючими і фотолюмінесцентними властивостями фотоелектричних перетворювачів. Отримані результати рекомендовано використовувати при розробці високоефективних фотоелектричних перетворювачів. |
|
| Publisher |
Київ
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" |
|
| Contributor |
Якименко, Ю.
|
|
| Date |
2013-10-08T08:18:53Z
2013-10-08T08:18:53Z 2012 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Format |
129 л.
|
|
| Identifier |
КВНТД I.2 12.11.13
Д/б №2427-п Розроблення технології отримання та вивчення особливостей застосування пористого і нанопористого кремнію для створення високофективних наноструктурних фотоелектричних перетворювачів : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Ю. Якименко. - К., 2012. - 129 л. + CD-ROM. - Д/б №2427-п 0111U003244 http://ela.kpi.ua/handle/123456789/4210 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|