Електронні процеси у пробійних електричних полях в політипах карбіду кремнію
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Електронні процеси у пробійних електричних полях в політипах карбіду кремнію
|
|
| Subject |
карбід кремнію
електричний пробій мікроплазма пробійна електролюменісценція лінійна поляризація електролюменісценції поруватий карбід кремнію зразкове джерело випромінювання 621.315.592 |
|
| Description |
Звіт по НДР - 5 розділів, 245 сторінок, 103 ілюстрації, 7 таблиць. Використано 103 літературних джерела. Досліджено вплив технологічних режимів виготовлення p-n-структур на основі політипів SiC на локалізацію та характеристики мікроплазм. Зроблені припущення щодо причин появи мікроплазм та виявлені методи впливу на мікроплазмову структуру пробою, які дозволяють створити високостабільні широкосмугові випромінювачі з оптимальними властивостями. Наведені результати експериментальних досліджень впливу температури на спектральний склад пробійної електролюмінесценції у p-n-структурах, отриманих на політипах карбіду кремнію SiC-6H, -15R, -4H, -3C. З’ясовані головні фактори, що визначають температурну залежність квантового виходу випромінювання у широкій області спектра (250 - 700 нм). За рахунок використання нової методики аналізу експериментальних даних отримано нову інформацію щодо природи компонент, які складають широкосмуговий, практично безструктурний спектр випромінювання. Отримані дані дозволили оптимізувати технологію та режими експлуатації широкополосних випромінювачів по величині температурної нестабільності. Наведені результати детальних досліджень випромінювання окремих мікроплазм у p-n-переходах із мікроплазмовим пробоєм, які виготовлені на кристалах SiC модифікацій 3С та 6Н. У випромінюванні цих мікроплазм найбільш явно виявився новий ефект - періодична структура, яка має характер осциляцій з періодом 0,05-0,5 еВ, що поширюються на досліджений спектральний діапазон 1,8-4,7 еВ. Їхня амплітуда складала 0,05-0,25 інтенсивності фонового випромінювання. Виявлено зв’язок осцилюючої структури з енергетичним проміжком (Х3с-Х1с) у зоні провідності SiC-3C. Запропоновані оригінальні методики визначення спектральної залежності стану поляризації слабких джерел оптичного випромінювання із суцільним спектром. Приведені результати досліджень спектральної залежності ступеню лінійної поляризації пробійної електролюмінісценції відносно кристалографічної осі С політипів SiC-6H та -4H. Визначені характеристики релаксації пробійної електролюмінісценції p-n-структур на основі SiC з субнаносекудним розрізненням. Досліджена часова нестабільність формувачів імпульсного струму на основі лавинних транзисторів. Запропоновані схеми стабільних джерел імпульсного випромінювання для калібрування швидких фотоприймальних пристроїв. Досліджена кінетика випромінювання, температурна і часова нестабільність наносекундних потужних джерел імпульсного випромінювання на основі сучасних короткохвильових світлодіодів на основі нітридів Ga та In. Проаналізована література щодо проблем створення газових сенсорів, технології та перспектив використання поруватого карбіду кремнію, отриманого анодним травленням у розчинах плавикової кислоти. Описані результати щодо впливу технологічних режимів на морфологію поруватої поверхні SiC, фотолюмінесценції та чутливості до аміаку отриманих шарів. |
|
| Publisher |
Київ
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" |
|
| Contributor |
Гермаш, Л. П.
|
|
| Date |
2013-10-22T07:22:41Z
2013-10-22T07:22:41Z 2011 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Format |
245 л.
|
|
| Identifier |
КВНТД І.101.04.10
Д/б №2206-ф Електронні процеси у пробійних електричних полях в політипах карбіду кремнію : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Л. Гермаш. К., 2011. - 245 л. + CD-ROM. - Д/б №2206-ф 0109U001598 http://ela.kpi.ua/handle/123456789/4809 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|