Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора
Датчик режиму насичення вихідного npn-транзистора Voltage Reference modification |
|
| Creator |
Мережаный, П. Г.
Павлов, Л. Н. Мережаний, П. Г. Павлов, Л. М. Merejany, P. G. Pavlov, L. N |
|
| Subject |
интегральные схемы
модель транзистора датчик насыщения критические параметра неидеальность переходов інтегральні схеми модель транзистора критичні параметри неідеальність переходів Integrated Circuits transistor model saturation sensor barrier non-ideality 621.316.54:621.314.632 |
|
| Publisher |
Киев
НТУУ "КПИ" |
|
| Date |
2013-10-28T12:08:21Z
2013-10-28T12:08:21Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 9-13
|
|
| Identifier |
Мережаный П. Г. Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора / П. Г. Мережаный, Л. Н. Павлов // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2013. – № 3(74). – С. 9–13. – Библиогр.: 3 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/5002 |
|
| Source |
Электроника и связь: научно-технический журнал
|
|
| Language |
ru
|
|