Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги
Ion-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculation Ион-селективные полевые транзисторы. Расчет порогового напряжения |
|
| Creator |
Прищепа, М. М.
Лозовий, С. В. Prishchepa, M. M. Lozovyi, S. V. Прищепа, Н. М. Лозовой, С. В. |
|
| Subject |
іон-селективний польовий транзистор (ІСПТ)
йонний склад розчину порогова напруга ion-selective field-effect transistor(ISFET) ion solution composition threshold voltage ион-селективный полевой транзистор (ИСПТ) ионный состав раствора пороговое напряжение 621.3.049.774 |
|
| Publisher |
Київ
НТУУ «КПІ» |
|
| Date |
2014-06-21T11:30:22Z
2014-06-21T11:30:22Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 105-113
|
|
| Identifier |
Прищепа, М. М. Іон-селективні польові транзистори. Розрахунок порогової напруги / М. М. Прищепа, С. В. Лозовий // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2012. – № 50. – С. 105–113. – Бібліогр.: 5 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/8009 |
|
| Source |
Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць
|
|
| Language |
uk
|
|