Запис Детальніше

Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням

DSpace at NTB NTUU KPI

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
The temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic control
Температурные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлением
 
Creator Діденко, Ю. В.
Молчанов, В. І.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
Didenko, Yu. V.
Molchanov, V. I.
Pashkov, V. M.
Tatarchuk, D. D.
Franchuk, A. S.
Диденко, Ю. В.
Молчанов, В. И.
Пашков, В. М.
Татарчук, Д. Д.
Франчук, А. С.
 
Subject p-i-n діод
резонанс E-типу
напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням
власна добротність
температурний коефіцієнт
p-i-n diode
E-type resonance
semiconductor resonator with electronic control
unloaded Q-factor
temperature coefficient
p-i-n диод
резонанс E-типа
полупроводниковый резонатор с электронным управлением
собственная добротность
температурный коэффициент
621.372.41
 
Publisher Киев
НТУУ "КПИ"
 
Date 2014-12-22T12:51:43Z
2014-12-22T12:51:43Z
2013
 
Type Article
 
Format С. 9-12
 
Identifier Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941
 
Source Электроника и связь: научно-технический журнал
 
Language uk