Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
The temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic control Температурные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлением |
|
Creator |
Діденко, Ю. В.
Молчанов, В. І. Пашков, В. М. Татарчук, Д. Д. Франчук, А. С. Didenko, Yu. V. Molchanov, V. I. Pashkov, V. M. Tatarchuk, D. D. Franchuk, A. S. Диденко, Ю. В. Молчанов, В. И. Пашков, В. М. Татарчук, Д. Д. Франчук, А. С. |
|
Subject |
p-i-n діод
резонанс E-типу напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням власна добротність температурний коефіцієнт p-i-n diode E-type resonance semiconductor resonator with electronic control unloaded Q-factor temperature coefficient p-i-n диод резонанс E-типа полупроводниковый резонатор с электронным управлением собственная добротность температурный коэффициент 621.372.41 |
|
Publisher |
Киев
НТУУ "КПИ" |
|
Date |
2014-12-22T12:51:43Z
2014-12-22T12:51:43Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Format |
С. 9-12
|
|
Identifier |
Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням / Ю. В. Діденко, В. І. Молчанов, В. М. Пашков, Д. Д. Татарчук, А. С. Франчук // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2013. – № 5(76). – С. 9–12. – Библиогр.: 5 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/9941 |
|
Source |
Электроника и связь: научно-технический журнал
|
|
Language |
uk
|
|