Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв у структурах із квантовими точками й квантовими ямами, вирощених методом мос-гидридной эпітаксії Comparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvd |
|
| Creator |
Авксентьев, Ю. А.
Ларкин, С. Ю. Парфенюк, П. В. Авксентьєв, Ю. А. Ларкін, С. Ю. Парфенюк, П. В. Avksentyev, Yu. Larkin, S. Parfenuk, P. |
|
| Subject |
МОС-гидридная эпитаксия
гетероструктуры квантовые точки квантовые ямы квантовая эффективность светодиод МОС-гідридна епітаксія гетероструктури квантові точки квантові ями квантова ефективність світлодіод MOCVD epitaxy heterostructures quantum dots quantum wells quantum efficiency the LED 621.382: 539.23 |
|
| Publisher |
Киев
НТУУ "КПИ" |
|
| Date |
2015-01-15T10:39:06Z
2015-01-15T10:39:06Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 30-35
|
|
| Identifier |
Авксентьев Ю. А. Сравнение эффективности рекомбинации неравновесных носителей в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии / Ю. А. Авксентьев, C. Ю. Ларкин, П. В. Парфенюк // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 2(79). – С. 30–35. – Библиогр.:19 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/10125 |
|
| Source |
Электроника и связь: научно-технический журнал
|
|
| Language |
ru
|
|