Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання
Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation Параметры оптически активной области светодиода под воздействием радиационного излучения |
|
| Creator |
Руденко, Н. М.
Стужук, І. І. Rudenko, N. N. Stuguk, I. I. Руденко, Н. Н. Стужук, И. И. |
|
| Subject |
світлодіоди
радіоактивна стійкість світлодіодів light-emitting diodes radioactivity stability semiconductor светодиоды радиоактивная стойкость светодиодов 621.3.049.771 |
|
| Publisher |
Київ
НТУУ «КПІ» |
|
| Date |
2015-01-26T14:46:51Z
2015-01-26T14:46:51Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
C. 126-130
|
|
| Identifier |
Руденко, Н. М. Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання / Н. М. Руденко, І. І. Стужук // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратуробудування : збірник наукових праць. – 2009. – № 39. – С. 126–130. – Бібліогр.: 3 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/10266 |
|
| Source |
Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратуробудування : збірник наукових праць
|
|
| Language |
uk
|
|