Запис Детальніше

Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors

DSpace at NTB NTUU KPI

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors
Аналіз одно- і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфірином
Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином
 
Creator Bodilovska, D. S.
Боділовська, Д. С.
Бодиловская, Д. С.
 
Subject silicone nanowire
field-effect transistor
porphyrin
electric potential
кремнієвий нанопровід
польовий транзистор
порфірин
електричний потенціал
кремниевый нанопровод
полевой транзистор
порфирин
электрический потенциал
621.315.592
 
Publisher Киев
НТУУ "КПИ"
 
Date 2015-03-17T14:25:52Z
2015-03-17T14:25:52Z
2014
 
Type Article
 
Format Pp. 9-13
 
Identifier Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 9–13. – Библиогр.: 6 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957
 
Source Электроника и связь: научно-технический журнал
 
Language en