Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors
Аналіз одно- і трьохвимірного розподілу електричного потенціалу в польовому транзисторі на основі кремнієвого нанопроводу покритого порфірином Анализ одно- и трехмерного распределения электрического потенциала в полевом транзисторе на основе кремниевого нанопровода покрытого порфирином |
|
Creator |
Bodilovska, D. S.
Боділовська, Д. С. Бодиловская, Д. С. |
|
Subject |
silicone nanowire
field-effect transistor porphyrin electric potential кремнієвий нанопровід польовий транзистор порфірин електричний потенціал кремниевый нанопровод полевой транзистор порфирин электрический потенциал 621.315.592 |
|
Publisher |
Киев
НТУУ "КПИ" |
|
Date |
2015-03-17T14:25:52Z
2015-03-17T14:25:52Z 2014 |
|
Type |
Article
|
|
Format |
Pp. 9-13
|
|
Identifier |
Bodilovska D. S. Analysis of 1D and 3D Distribution of Electric Potential in the Porphyrin-coated Silicon Nanowire Field-effect Transistors / D. S. Bodilovska // Электроника и связь : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 9–13. – Библиогр.: 6 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/10957 |
|
Source |
Электроника и связь: научно-технический журнал
|
|
Language |
en
|
|