Дослідження динамічних властивостей новітніх напівпровідникових наноматеріалів і нанокомпонентів
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження динамічних властивостей новітніх напівпровідникових наноматеріалів і нанокомпонентів
|
|
| Subject |
тринітриди
нітрид галію нітрид алюмінію нітрид індію механізми розсіювання часи релаксації сильне електричне поле балістичний транспорт нанбіосенсор багашарові гетероструктури квантові ями квантові точки квантовий каскадний лазер темплетні наноструктури динамічні характеристики резонансно-тунельних діодів 621:382. |
|
| Description |
Метою роботи є дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей їх використання для створення надшвидкодійних і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання характеристик наноструктурних матеріалів і електронних приладів. Досліджено динамічні властивості напівпровідникових сполук як реакцію дрейфових процесів на імпульсне електричне поле для сполук InN, GaN та AlN з кубічною та гексагональною структурою. Визначено довжини балістичного пробігу за різних амплітуд та тривалостях переднього фронту імпульсу. Встановлено, що гранична частота, яка визначається інерційністю процесів розсіювання імпульсу та міждолинних переходів, але здебільшого часом релаксації енергії, має значення порядку сотень і навіть тисяч гігагерців, зменшуючись із зростанням напруженості електричного поля. Розроблена методика і алгоритм врахування впливу квантових точок (КТ) на подовжній транспорт носіїв заряду в гетеротранзисторі. Показано, що вбудовування системи КТ в гетероперехід призводить до зростання швидкодії гетеротранзистора. Розроблено і верифіковано моделі сучасних резонансно-тунельних діодів, включаючи їх динамічні характеристики. Розроблено модель одноелектронного транзистора, побудованого на молекулі фенілдитіолу, яка дозволяє досліджувати фізичні процеси і режими функціонування транзистора за умов кулонівської блокади та самоузгодженого електричного поля. Розроблено методику і проведено розрахунки нових конструкцій світлодіодів на гетероструктурах. Розроблено математичну модель квантового каскадного лазера та досліджено надграткову структуру напівпровідникового лазера з довжиною хвилі 5 мкм. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми направлені на створення сучасних нанокомпонентів і розвиток нанотехнологій. |
|
| Publisher |
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
|
|
| Contributor |
Тимофєєв, В.
|
|
| Date |
2015-09-24T09:56:40Z
2015-09-24T09:56:40Z 2014 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Format |
185 л.
|
|
| Identifier |
КВНТД 1.2 12.11.13
Д/б №2630-п Дослідження динамічних властивостей новітніх напівпровідникових наноматеріалів і нанокомпонентів : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2014. - 185 л. + CD-ROM. - Д/б №2630-п 0113U000389 http://ela.kpi.ua/handle/123456789/12585 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|