РФЭС исследование наноразмерных пленок TiNxOy, полученных методом ионно-лучевого распыления
eKhNUIR
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
РФЭС исследование наноразмерных пленок TiNxOy, полученных методом ионно-лучевого распыления
|
|
Creator |
Стервоедов, А.Н.
Береснев, В.М. |
|
Subject |
наноразмерные пленки
оксинитрид титана ионное распыление рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия РФЭС nanoscaled films titanium oxinitride ion beam sputtering X-ray photoelectron spectroscopy XPS |
|
Description |
В работе представлены результаты исследования с использованием метода рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноразмерных пленок TiNxOy толщиной 5 нм, полученных на кремнии методом слаботочного ионно-лучевого распыления. Показана возможность использования РФЭС с угловым разрешением для определения толщины и сплошности полученных ультратонких пленок. Детально показано влияние температуры подложки во время ионно-лучевого синтеза и температурного отжига на химическое состояние и диффузионные свойства структур Ti-O-N/Si. The results of studies using X-ray photoelectron spectroscopy of nanoscaled films TiNxOy thickness of about 5 nm, obtained on silicon by low-current ion beam sputtering are presented in given work. Also it is shown the possibility of using angle-resolved XPS to determine the thickness and continuity of the obtained ultra-thin films. The effect of substrate temperature during ion beam synthesis and thermal annealing on the chemical state and the diffusion properties of the structures Ti-O-N/Si is shown in details.У роботі представлені результати дослідження з використанням методу рентгенівської фотоелектронної спектроскопії нанорозмірних плівок TiNxOy товщиною 5 нм, отриманих на кремнії методом слаботочного іонно-променевого розпилення. Показано можливість використання РФЕС з кутовим дозволом для визначення товщини і суцільності отриманих ультра тонких плівок. Детально показано вплив температури підкладки під час іонно-променевого синтезу та температурного відпалу на хімічний стан і дифузійні властивості структур Ti-O-N/Si. |
|
Date |
2011-10-07T10:30:19Z
2011-10-07T10:30:19Z 2010 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Стервоедов А.Н. РФЭС исследование наноразмерных пленок TiNxOy, полученных методом ионно-лучевого распыления / А.Н. Стервоедов, В.М. Береснев // Вiсник Харкiвського нацiонального унiверситету iм. В.Н. Каразiна. – 2010. – № 887. Сер.: Фізична. «Ядра, частинки, поля». – Вип. 1(45). – С. 104 – 109
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/4717 |
|
Language |
ru
|
|
Publisher |
Харьковский национальный университет имени В.Н. Каразина
|
|