Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
eKhNUIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Импедансные характеристики планарных диодов с туннельными границами на основе GaAs
|
|
| Creator |
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
|
| Subject |
отрицательная дифференциальная проводимость
туннельная граница диод туннелирование |
|
| Description |
Рассматриваются импедансные характеристики диодов, в которых при определенных напряжениях возни-кает отрицательная дифференциальная проводимость (ОДП) вследствие туннелирования электронов через бо-ковые грани диода, которая может быть использована для генерации, усиления, умножения. Определяются за-висимости активной и реактивной составляющих импеданса диода с туннельными границами для реальных параметров диодов. Показано, что предельная частота ОДП диода находится в терагерцовом диапазоне и зави-сит от его параметров.
|
|
| Date |
2012-12-02T15:46:06Z
2012-12-02T15:46:06Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вестник
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7152 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радиофизика и Электроника;966
|
|
| Publisher |
Харьковский Национальный Университет им. В.Н.Каразина
|
|