Кинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облучении
eKhNUIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Кинетика изменения концентрации l-дефектов в кристаллах DKDP при gamma-облучении
|
|
| Creator |
Левченко, А.Н.
|
|
| Subject |
монокристаллы DKDP
удельная электропроводность концентрация L-дефектов gamma -облучение кинетика первого порядка |
|
| Description |
Исследована зависимость удельной электропроводности монокристаллов KD2PO4 (DKDP) от дозы gamma-облучения. Установлено, что в интервале доз 3.0 102ч2.8 104 Гр происходит экспоненциальное уменьшение электропроводности. Температурные зависимости электропроводности подчиняются экспоненциальному закону. Определены значения предэкспоненциального фактора и энергии активации электропроводности для кристаллов, облучѐнных различными дозами. Анализ дозовых и температурных зависимостей показывает, что радиационно-индуцированное уменьшение величины электропроводности связано с уменьшением концентрации L-дефектов в кристаллах. Изменение концентрации происходит в соответствии с законом кинетики первого порядка. Обсуждаются возможные механизмы изменения концентрации L-дефектов при gamma-облучении кристаллов.
|
|
| Date |
2012-12-02T22:06:54Z
2012-12-02T22:06:54Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вестник
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7197 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радиофизика та электроника;927
|
|
| Publisher |
Харьковский Национальный Университет имени В.Н. Каразина
|
|