Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
eKhNUIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
|
|
| Creator |
Прохоров, Э.Д.
Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
|
| Subject |
GaAs-диод с туннельной границей
вольтамперные характеристики эффективность генерации |
|
| Description |
Исследуются вольтамперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа «сендвич» на основе GaAs. Показано, как влияют сопротивление между контактами диодной структуры и сопротивление, включенное последовательно с туннельной границей, на вольтамперную характеристику диода, общее сопротивление структуры, отрицательную дифференциальную проводимость структуры. Определены эффективности генерации диодов с туннельными границами в зависимости от параметров диодов. Показано как эффективность генерации изменяется с увеличением частоты. Оценен частотный предел работы диодов с туннельными границами.
|
|
| Date |
2012-12-02T23:46:32Z
2012-12-02T23:46:32Z 2010 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вестник
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/7207 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радиофизика и электроника;942
|
|
| Publisher |
Харьковский Национальный Университет им. В.Н. Каразина
|
|