Запис Детальніше

Interaction in Ga - AgAu thin film system

eKhNUIR

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Interaction in Ga - AgAu thin film system
 
Creator Andronov, V.M.
Grebennik, I.P.
Dukarov, S.V.
 
Subject Thin films
Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces
 
Description Interaction of Ga layers with thin films of AgAu alloys with variable Au content (2-62 % by mass) are shown to result in formation of AgAuGa ternary phases having lattices similar to those observed in binary systems: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. As the Au concentration in the binary AgAu alloy increases, the transitions are observed from the single-phase region to the double- and triple-phase ones and then the double-phase one again (phase types γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2). . . . . . . . . . . . . . .
Показано, что при взаимодействии слоев Ga с тонкими пленками сплавов AgAu переменной концентрации (2-62 мас.% Au) образуются фазы тройной системы AgAuGa с решетками, по типу сходными с наблюдаемыми в двойных системах: γ-AgGa, γ-AuGa, AuGa, AuGa2. При увеличении концентрации Au в двойном сплаве AgAu наблюдается переход от однофазной области к двух-, трех- и снова в двухфазную (фазы типа γ-AgGa → γ-AgGa + AuGa(AuGa2) → γ-AgGa + γ-AuGa + AuGa2 → γ-AuGa + AuGa2).
 
Date 2015-11-26T15:10:32Z
2015-11-26T15:10:32Z
1999
 
Type Article
 
Identifier Andronov V.M., Grebennik I.P., Dukarov S.V. Interaction in Ga - AgAu thin film system // Functional materials. – 1999. – V. 6, № 4. – P. 658–661.
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11009
 
Language en
 
Publisher STC “Institute for Single Crystals”