g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system
eKhNUIR
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system
|
|
Creator |
Dukarov, S.V.
|
|
Subject |
Thin films
gallium arsenide crystal structure Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces |
|
Description |
When GaAs and Ni layers are deposited onto NaCl single crystals, a single crystal phase of the Ni-Ga-As ternary system is observed to grow. The presence of sites with a non-zero third index permits to determine the lattice parameters giving a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å as well as the angle between [-101] and [-11-1] vectors amounting 109°30'. Due to the orienting effect of the NaCl substrate, the growth of the γ"-phase of the ternary system with a" = aγ, c" = 2cγ, turns out to be more energetically favourable, while in massive specimens of the Ni—Ga binary system, the γ-phase ordering under annealing is accompanied by the γ'-phase growth with a' = 2aγ, c' = cγ. . . . . . . . . . . . . . При конденсации слоев GaAs и Ni на подогретые до температуры 200-400°С монокристаллы NaCl наблюдается рост монокристальной фазы тройной системы Ni-Ga-As. Наличие узлов с ненулевым третьим индексом дает возможность определить параметры решетки a" = 4.11 Å, c" = 10.90 Å, а также угол между векторами [-101]и [-11-1], равный 109°30'. Благодаря ориентирующему влиянию NaCl-подложки энергетически более выгодным оказывается рост γ"-фазы тройной системы с параметрами a" = aγ, c" = 2cγ, в то время как в массивных образцах двойной системы Ni-Ga упорядочение γ-фазы при отжиге сопровождается ростом γ'-фазы с a' = 2aγ, c' = cγ. |
|
Date |
2015-12-12T15:35:26Z
2015-12-12T15:35:26Z 1997 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Dukarov S.V. g-phase structure in Ni-Ga-As thin film system // Functional materials. – 1997. – V.4, № 3. – P. 355–358
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11050 |
|
Language |
en
|
|
Publisher |
STC “Institute for Single Crystals”
|
|