Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
eKhNUIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs
|
|
| Creator |
Гладких, Н.Т.
Гребенник, И.П. Дукаров, С.В. Зото, М.С. Сорокина, И.В. |
|
| Subject |
Thin films
gallium arsenide crystal structure Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces |
|
| Description |
Приводятся результаты электронографического исследования фазового состава двухслойных пленок Ni/GaAs в зависимости от соотношения толщин слоев. Конденсация никеля проводилась при 400 С. Показано, что структура и число образующихся при взаимодействии фаз различны в случаях, когда пленка GeAs конденсировалась при 20 и 400 С.
|
|
| Date |
2016-01-14T17:04:33Z
2016-01-14T17:04:33Z 1992 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Гладких Н.Т., Гребенник И.П., Дукаров С.В., Зото М.С., Сорокина И.В. Электронографическое исследование взаимодействия тонких пленок Ni и GaAs // Металлофизика. – 1992. – Т.14, N 2. – С 66–70.
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11126 |
|
| Language |
ru
|
|