Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs
eKhNUIR
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs
|
|
| Creator |
Дукаров, С.В.
Гребенник, И.П. |
|
| Subject |
Thin films
gallium arsenide crystal structure Research Subject Categories::NATURAL SCIENCES::Physics::Condensed matter physics::Surfaces and interfaces |
|
| Description |
Приводятся результаты исследования взаимодействия в пленках Ni/GaAs в зависимости от температуры и концентрации компонентов. Обсуждаются причины образования фазы переменного состава g-Ni3Ga2 для широкого интервала составов и особенности процесса упорядочения g-фазы в тонких слоях в условиях ориентирующего действия подложки. . The results of studying interactions in Ni/GaAs films at various temperatures and concentration of components are given. The reason for the appearance of a phase with variable composition g-Ni3Ga2 within a wide range of concentrations are discussed. Also the properties of ordering a g-phase in thin layers under orientation action of the substrate are dealt with |
|
| Date |
2016-01-24T20:10:43Z
2016-01-24T20:10:43Z 1999 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Дукаров С.В. Фазообразование в тонкопленочной системе Ni/GaAs / С.В. Дукаров, И.П. Гребенник // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. – 1999. – № 2(10). – С. 97–103.
http://dspace.univer.kharkov.ua/handle/123456789/11149 |
|
| Language |
ru
|
|