Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия
Electrothermal analysis of GaN power submicron field-effect heterotransistors |
|
| Creator |
Тимофеев, Владимир Иванович
Семеновская, Елена Владимировна Фалеева, Елена Михайловна Timofeyev, Vladimir I. Semenovskaya, Elena V. Falieieva, Olena M. |
|
| Subject |
субмикронный гетероструктурный транзистор
нитрид галлия тепловые поля эффект саморазогрева частотные характеристики усиления submicron heterostructure transistor gallium nitride thermal fields self-heating effect gain frequency characteristics 621.382.323 |
|
| Publisher |
Киев
НТУУ «КПИ» |
|
| Date |
2016-11-02T10:24:51Z
2016-11-02T10:24:51Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Тимофеев В. И. Электротепловой анализ мощных субмикронных полевых гетеротранзисторов на основе нитрида галлия / В. И. Тимофеев, Е. В. Семеновская, Е. М. Фалеева // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : ежемесячный научно-технический журнал. – 2016. – Т. 59, № 2(644). – C. 23–32. – Библиогр.: 18 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17943 10.3103/S0735272716020035 |
|
| Source |
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: ежемесячный научно-технический журнал
|
|
| Language |
ru
|
|