Усиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данных
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Усиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данных
Development of 3T eDRAM gain cells for enhancing read margin and data retention |
|
| Creator |
Варшни, Т.
Кханделвал, Саурабх Акеше, Шиам Varshney, Tarushree Khandelwal, Saurabh Akashe, Shyam |
|
| Subject |
eDRAM
удержание данных усиливающая 3Т ячейка увеличенный запас хранения мощность утечки нанотехнология logic compatible eDRAM data retention 3T gain cell enhanced read margin static power nanotechnology |
|
| Description |
Работа выполнена при поддержке университета ITM Gwalior при сотрудничестве с компанией Cadence System Design, Бангалор, Индия.
This paper was supported by ITM (Gwalior) with the collaboration of Cadence System Design (Bangalore, India). |
|
| Publisher |
Киев
НТУУ «КПИ» |
|
| Date |
2016-11-02T12:51:42Z
2016-11-02T12:51:42Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 18-29
|
|
| Identifier |
Варшни Т. Усиливающая 3Т ячейка eDRAM памяти с улучшенными параметрами чтения и удержания данных / Т. Варшни, С. Кханделвал, С. Акеше // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : ежемесячный научно-технический журнал. – 2016. – Т. 59, № 3(645). – C. 18–29. – Библиогр.: 12 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17952 10.3103/S073527271603002X |
|
| Source |
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: ежемесячный научно-технический журнал
|
|
| Language |
ru
|
|