Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС.
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС.
Problems of integration geteroelektroniki structures with silicon IC. |
|
| Creator |
Осинский, В. И.
Олексенко, П. Ф. Палагин, А. В. Зубарев, В. В. Луговский, В. В. |
|
| Subject |
арсенид галлия
гетероструктура кремниевая структура интеграция структур эпитаксия подложка 537.33+621.3 |
|
| Publisher |
Одесса
Одеський государственный политехнический университет. |
|
| Date |
2016-11-04T07:59:44Z
2016-11-04T07:59:44Z 1999 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
C. 3 - 17.
|
|
| Identifier |
Осинский, В. И. Проблемы интеграции структур гетероелектроники с кремниевыми ИС / В. И.Осинский, П. Ф. Олексенко, А. В. Палагин, В. В. Зубарев, В. В. Луговский [ та ін.]// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. - № 1. - C. 3 - 17.
0130-6243 http://ela.kpi.ua/handle/123456789/17995 |
|
| Source |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 1999. - № 1.
|
|
| Language |
ru
|
|