Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії.
The impact of doping on properties of complex layers of GaAs, obtained by liquid-phase epitaxy. |
|
| Creator |
Козаченко, В. В.
Круковський, С. І. Ніколаєнко, Ю. Є. Савкіна, Р. К. Смірнов, О. Б. |
|
| Subject |
рідинно-фазна епітаксія
епітаксійні шари GaAs фотолюмінесценція Liquid-phase epitaxy GaAs epitaxial layers photoluminescence 621.315.592 |
|
| Publisher |
Київ
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка |
|
| Date |
2016-12-01T14:17:05Z
2016-12-01T14:17:05Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 359-364.
|
|
| Identifier |
Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії // В. В. Козаченко, С. І. Круковський, Ю. Є. Ніколаєнко [та ін.] // Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки». – КНУ ім. Тараса Шевченка. – 2005. – Вип. № 4. – С. 359-364.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/18197 |
|
| Source |
Вісник Київського університету імені Тараса Шевченка. Серія «Фізико-математичні науки»
|
|
| Language |
uk
|
|