Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)
Положення остівного рівня Ge(3d5/2) в залежності від конфігурації адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)(4×2) Core level position Ge(3d5/2) in dependence of the configuration adsorption Ge complexes on the face of Si(001)(4×2) П'ята міжнародна наукова-практична конференція «Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку» |
|
| Creator |
Ткачук, О. И
Теребинская, М. И. Лобанов, В. В. Ткачук, О. І. Теребінська, М. І. Лобанов, В. В. Tkachuk, O. Terebinska, M. Lobanov, V. |
|
| Subject |
гетеропереходы
остовные уровни буклированная поверхность димеризованная поверхность гетеропереходи остівні рівні букльована поверхня димеризована поверхня heterojunctions core levels buckled surface surface dimers 54118:544:72 |
|
| Publisher |
Київ
НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського» |
|
| Date |
2016-12-15T12:28:19Z
2016-12-15T12:28:19Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Format |
С. 171-176
|
|
| Identifier |
Ткачук, О. И. Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2) / О. И. Ткачук, М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції, 18-20 травня 2016 року, м. Київ. – Київ : НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016. – С. 171-176. – Бібліогр.: 6 назв.
http://ela.kpi.ua/handle/123456789/18316 |
|
| Source |
Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції
|
|
| Language |
ru
|
|