Вплив анізотропії розсіяння носіїв заряду в кристалах n−Si на тензочутливість
DSpace at Ternopil State Ivan Puluj Technical University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив анізотропії розсіяння носіїв заряду в кристалах n−Si на тензочутливість
|
|
| Creator |
Цизь, А. І.
|
|
| Contributor |
Луцький національний технічний університет
|
|
| Subject |
621.315.592
|
|
| Date |
2016-02-16T10:41:43Z
2016-02-16T10:41:43Z 2013-04-25 2013-04-25 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Цизь А. І. Вплив анізотропії розсіяння носіїв заряду в кристалах n−Si на тензочутливість / Цизь А. І. // Матеріали Ⅵ всеукраїнської студентської науково-технічної конференції „Природничі та гуманітарні науки. Актуальні питання.“, 25-26 квітня 2013 року — Т. : ТНТУ, 2013 — Том 1. — С. 254. — (Секція: Фізика).
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/9990 Tsyz A. I. (2013) Vplyv anizotropii rozsiiannia nosiiv zariadu v krystalakh n−Si na tenzochutlyvist. Materials of Ⅵ the All-Ukrainian Student Science Conference "Natural and Human Sciences. Current issues." (Tern., 25-26 March 2013), Volume 1, pp. 254 [in Ukrainian]. |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Матеріали Ⅵ всеукраїнської студентської науково-технічної конференції „Природничі та гуманітарні науки. Актуальні питання.“
Materials of Ⅵ the All-Ukrainian Student Science Conference "Natural and Human Sciences. Current issues." |
|
| Format |
254
|
|
| Coverage |
25-26 квітня 2013 року
25-26 March 2013 Україна, Тернопіль Ukraine, Ternopil |
|
| Publisher |
ТНТУ
TNTU |
|