Запис Детальніше

Система ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 K

DSpace at Ternopil State Ivan Puluj Technical University

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Система ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 K
System ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 at temperature 770 К
 
Creator Блашко, Н. М.
Олексеюк, І. Д.
Марчук, О. В.
Гулай, Л. Д.
Blashko, N. M.
Oleksejuk, I. D.
Marchuk, O. V.
Gulay, L. D.
 
Contributor Східноєвропейський національний університет імені Л. Українки, Україна
 
Subject 54
 
Date 2016-02-18T19:29:12Z
2016-02-18T19:29:12Z
2015-11-25
2015-11-25
 
Type Article
 
Identifier Система ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 за температури 770 K / Н. М. Блашко, І. Д. Олексеюк, О. В. Марчук, Л. Д. Гулай // Збірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“, 25-26 листопада 2015 року — Т. : ТНТУ, 2015 — Том 1. — С. 45-46. — (Нові матеріали, міцність і довговічність елементів конструкцій).
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/10888
Blashko N. M., Oleksejuk I. D., Marchuk O. V., Gulay L. D. (2015) Sistema ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 za temperaturi 770 K [System ZnS – Pr2S3 – Ga2S3 at temperature 770 К]. Collection of abstracts Ⅳ International scientific conference of young scientists and students "Actual tasks of modern technology" (Tern., 25-26 November 2015), Volume 1, pp. 45-46 [in Ukrainian].
 
Language uk
 
Relation Збірник тез доповідей Ⅳ Міжнародної науково-технічної конференції молодих учених та студентів „Актуальні задачі сучасних технологій“
Collection of abstracts Ⅳ International scientific conference of young scientists and students "Actual tasks of modern technology"
1. Schleid T. A-Pr2S3, D-Ho2S3 und E-Yb2S3: Synthese und Einkristalluntersuchungen / T. Schleid, F. Lissner // Z. Naturforschung. – 1996. – V.51. – Р. 733-738.
2. Rabadanov M. Kh. Anharmonic temperature factors and charge density in ZnS / M. Rabadanov // Kristallografiya. – 1995. – V.40(1). – P.21-27.
3. Kisi E. H. U parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction / E. H Kisi., M. M. Elcombe // Acta Cryst. – 1989. – V.45. – P.1867-1870.
4. Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga2S3 / [Jones C. Y., Bryan J. C., Kirschbaum K., Edwards J. G.] // Z. Kristallograph. – 2001. – V.216. – Р.327-328.
5. Determination des structures des formes alpha and beta de Ga2S3 / A. Tomas, M. Pardo, M. Guittard at al. // Mat. Res. Bull. – 1987. – V.22. – Р.1549-1554.
6. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treatment / [L. G. Akselrud, Yu. N. Grin, P. Yu. Zavalii and others] // Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20-28 August, – 1989. – Vol. 3. – P.155.
7. Lowe-Ma C. K. Structure of ZnGa2S4, a defect sphalerite derivative / C. K. LoweMa, T. A. Vanderah // J. Acta Cryst. –1991. – V.47. – Р.919-924.
8. Patrie M. Chimie minerale. Sur les composes du type Ce6Al10/3S14 / M. Patrie, M. Guittard // Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. – 1966. – V.268. – Р.1136-1138.
1. Schleid T. A-Pr2S3, D-Ho2S3 und E-Yb2S3: Synthese und Einkristalluntersuchungen, T. Schleid, F. Lissner, Z. Naturforschung, 1996, V.51, R. 733-738.
2. Rabadanov M. Kh. Anharmonic temperature factors and charge density in ZnS, M. Rabadanov, Kristallografiya, 1995, V.40(1), P.21-27.
3. Kisi E. H. U parameters for the wurtzite structure of ZnS and ZnO using powder neutron diffraction, E. H Kisi., M. M. Elcombe, Acta Cryst, 1989, V.45, P.1867-1870.
4. Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga2S3, [Jones C. Y., Bryan J. C., Kirschbaum K., Edwards J. G.], Z. Kristallograph, 2001, V.216, R.327-328.
5. Determination des structures des formes alpha and beta de Ga2S3, A. Tomas, M. Pardo, M. Guittard at al., Mat. Res. Bull, 1987, V.22, R.1549-1554.
6. CSD-Universal program package for single crystal and powder structure data treatment, [L. G. Akselrud, Yu. N. Grin, P. Yu. Zavalii and others], Collected Abstracts 12th European Crystallogr. Meet., Moscow, USSR, 20-28 August, 1989, Vol. 3, P.155.
7. Lowe-Ma C. K. Structure of ZnGa2S4, a defect sphalerite derivative, C. K. LoweMa, T. A. Vanderah, J. Acta Cryst. –1991, V.47, R.919-924.
8. Patrie M. Chimie minerale. Sur les composes du type Ce6Al10/3S14, M. Patrie, M. Guittard, Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences, 1966, V.268, R.1136-1138.
 
Rights © Вісник Тернопільського національного технічного університету, 2015
 
Format 45-46
 
Coverage 25-26 листопада 2015 року
25-26 November 2015
Україна, Тернопіль
Ukraine, Ternopil
 
Publisher ТНТУ
TNTU