Запис Детальніше

Визначення коефіцієнта корисної дії світлових приладів на базі напівпровідникових джерел світла

DSpace at Ternopil State Ivan Puluj Technical University

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Визначення коефіцієнта корисної дії світлових приладів на базі напівпровідникових джерел світла
Definition of lighting devices based on led efficiency
 
Creator Михайлишин, Л.
Mykhailyshyn, L.
 
Contributor Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя
Ternopil Ivan Puluj National Technical University
 
Subject світловий прилад
напівпровідникове джерело світла
ефективність
light device
LED
effectiveness
628.94
 
Date 2016-02-26T20:25:51Z
2016-02-26T20:25:51Z
2015-04-23
2015-04-23
 
Type Article
 
Identifier Михайлишин Л. Визначення коефіцієнта корисної дії світлових приладів на базі напівпровідникових джерел світла / Михайлишин Л. // Збірник тез Ⅷ всеукраїнської студентської науково-технічної конференції „Природничі та гуманітарні науки. Актуальні питання“, 23-24 квітня 2015 р. — Т. : ТНТУ, 2015 — Том 1. — С. 223-224. — (Секція: Електротехніка, електроніка та світлотехніка).
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12765
Mykhailyshyn L. (2015) Vyznachennia koefitsiienta korysnoi dii svitlovykh pryladiv na bazi napivprovidnykovykh dzherel svitla [Definition of lighting devices based on led efficiency]. Zbirnyk tez Ⅷ vseukrainskoi studentskoi naukovo-tekhnichnoi konferentsii "Pryrodnychi ta humanitarni nauky. Aktualni pytannia" (Tern., 23-24 April 2015), vol. 1, pp. 223-224 [in Ukrainian].
 
Language uk
 
Relation Збірник тез Ⅷ всеукраїнської студентської науково-технічної конференції „Природничі та гуманітарні науки. Актуальні питання“
1. Справочная книга по светотехнике под редакцией Айзенберга Ю.Б. - М. Знак, 2006.- 951с.
2. Вон Кук Сан. О светодиодных модулях «ACRICHE» // Светотехника. – 2007 – № 6 – С. 54 – 56.
3. Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Физматлит, 2007.-420 с. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/ AlGaN/GaN с квантовыми ямами / В.Е. Кудряшов, К. Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович // ФТП. 1997. Т. 31, № 11. С. 1304-1309.
1. Spravochnaia kniha po svetotekhnike pod redaktsiei Aizenberha Iu.B, M. Znak, 2006, 951p.
2. Von Kuk San. O svetodiodnykh moduliakh "ACRICHE", Svetotekhnika, 2007 – No 6 – P. 54 – 56.
3. Lebedev A. I. Fizika poluprovodnikovykh priborov, M., Fizmatlit, 2007.-420 p. Tunnelnye effekty v svetodiodakh na osnove heterostruktur InGaN/ AlGaN/GaN s kvantovymi iamami, V.E. Kudriashov, K. H. Zolina, A.N. Kovalev, F.I. Maniakhin, A.N. Turkin, A.E. Iunovich, FTP. 1997. V. 31, No 11. P. 1304-1309.
 
Format 223-224
 
Coverage 23-24 квітня 2015 р.
23-24 April 2015
Україна, Тернопіль
Ukraine, Ternopil
 
Publisher ТНТУ
TNTU