Визначення коефіцієнта корисної дії світлових приладів на базі напівпровідникових джерел світла
DSpace at Ternopil State Ivan Puluj Technical University
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Визначення коефіцієнта корисної дії світлових приладів на базі напівпровідникових джерел світла
Definition of lighting devices based on led efficiency |
|
Creator |
Михайлишин, Л.
Mykhailyshyn, L. |
|
Contributor |
Тернопільський національний технічний університет імені Івана Пулюя
Ternopil Ivan Puluj National Technical University |
|
Subject |
світловий прилад
напівпровідникове джерело світла ефективність light device LED effectiveness 628.94 |
|
Date |
2016-02-26T20:25:51Z
2016-02-26T20:25:51Z 2015-04-23 2015-04-23 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Михайлишин Л. Визначення коефіцієнта корисної дії світлових приладів на базі напівпровідникових джерел світла / Михайлишин Л. // Збірник тез Ⅷ всеукраїнської студентської науково-технічної конференції „Природничі та гуманітарні науки. Актуальні питання“, 23-24 квітня 2015 р. — Т. : ТНТУ, 2015 — Том 1. — С. 223-224. — (Секція: Електротехніка, електроніка та світлотехніка).
http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/12765 Mykhailyshyn L. (2015) Vyznachennia koefitsiienta korysnoi dii svitlovykh pryladiv na bazi napivprovidnykovykh dzherel svitla [Definition of lighting devices based on led efficiency]. Zbirnyk tez Ⅷ vseukrainskoi studentskoi naukovo-tekhnichnoi konferentsii "Pryrodnychi ta humanitarni nauky. Aktualni pytannia" (Tern., 23-24 April 2015), vol. 1, pp. 223-224 [in Ukrainian]. |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
Збірник тез Ⅷ всеукраїнської студентської науково-технічної конференції „Природничі та гуманітарні науки. Актуальні питання“
1. Справочная книга по светотехнике под редакцией Айзенберга Ю.Б. - М. Знак, 2006.- 951с. 2. Вон Кук Сан. О светодиодных модулях «ACRICHE» // Светотехника. – 2007 – № 6 – С. 54 – 56. 3. Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Физматлит, 2007.-420 с. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/ AlGaN/GaN с квантовыми ямами / В.Е. Кудряшов, К. Г. Золина, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович // ФТП. 1997. Т. 31, № 11. С. 1304-1309. 1. Spravochnaia kniha po svetotekhnike pod redaktsiei Aizenberha Iu.B, M. Znak, 2006, 951p. 2. Von Kuk San. O svetodiodnykh moduliakh "ACRICHE", Svetotekhnika, 2007 – No 6 – P. 54 – 56. 3. Lebedev A. I. Fizika poluprovodnikovykh priborov, M., Fizmatlit, 2007.-420 p. Tunnelnye effekty v svetodiodakh na osnove heterostruktur InGaN/ AlGaN/GaN s kvantovymi iamami, V.E. Kudriashov, K. H. Zolina, A.N. Kovalev, F.I. Maniakhin, A.N. Turkin, A.E. Iunovich, FTP. 1997. V. 31, No 11. P. 1304-1309. |
|
Format |
223-224
|
|
Coverage |
23-24 квітня 2015 р.
23-24 April 2015 Україна, Тернопіль Ukraine, Ternopil |
|
Publisher |
ТНТУ
TNTU |
|