Вплив радіаційних дефектів на процеси формування прихованих шарів SіО2 в кремнії
DSpace at Ternopil State Ivan Puluj Technical University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив радіаційних дефектів на процеси формування прихованих шарів SіО2 в кремнії
|
|
| Creator |
Москаль, Д.
|
|
| Contributor |
ПВНЗ «Європейський університет», Тернопільська філія
|
|
| Subject |
621.382
|
|
| Date |
2016-05-24T05:09:36Z
2016-05-24T05:09:36Z 2008-05-14 2008-05-14 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Москаль Д. Вплив радіаційних дефектів на процеси формування прихованих шарів SіО2 в кремнії / Д. Москаль // Матеріали Ⅻ наукової конференції ТДТУ ім. Ів. Пулюя, 14-15 травня 2008 року — Т. : ТДТУ, 2008 — С. 213. — (Фізика).
966-305-007-7 http://elartu.tntu.edu.ua/handle/123456789/16083 Moskal D. (2008) Vplyv radiatsiinykh defektiv na protsesy formuvannia prykhovanykh shariv SiO2 v kremnii. Materials of Ⅻ Scientific Conference of TSTU (Tern., 14-15 May 2008), pp. 213 [in Ukrainian]. |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Матеріали дванадцятої наукової конференції Тернопільського державного технічного університету імені Івана Пулюя
Materials of Twelfth Scientific Conference of Ternopil Ivan Pul'uj State Technical University |
|
| Rights |
© Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя, 2008
|
|
| Format |
213
1 |
|
| Coverage |
14-15 травня 2008 року
14-15 May 2008 Україна, Тернопіль Ukraine, Ternopil |
|
| Publisher |
ТДТУ
TSTU |
|